系统特征
序号
测试器件
01
二极管
02
晶体管NPN型/PNP型
03
J型场效应管
04
MOS场效应管
05
双向可控硅
06
可控硅
07
lGBT
08
硅触发可控硅
09
达林顿阵列
10
金属氧化物压变电阻
12
固态过压保护器
13
稳压、齐纳二极管
规格/环境：
栅极发射极
VGES:0-40V
分辨率0. 1V
lGES:0.1-10Ua
分辨率0.01uA
Vce:0V
集电极发射极
Vces:100-3000v
分辨率10V
lces:100UA-5mA
分辨率10uA
Vge:0V
Vge:0V
栅极发射极阈值电压
Vge(th):1-10V
分辨率0lV
集电极
发射极
饱和电压
VCE(sat):02-5V
分辨率0.01V
lCE:10-100A
分辨率1A
二极管
VF:0-5V
分辨率0.01V
lF:0-100A
分辨率1A
Vge:0V
二极管反向**
可恢复直流电压
Vces:100-3000V
分辨率10V
lces; 100UA-5mA
分辨率10uA