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当力作用于硅晶体时，晶体的晶格产生变形，使载流子从一个能谷向另一个能谷散射，引起载流子的迁移率发生变化，扰动了载流子纵向和横向的平均量，从而使硅的电阻率发生变化。这种变化随晶体的取向不同而异，因此硅的压阻效应与晶体的取向有关。

1、灵敏度非常高，有时传感器的输出不需放大可直接用于测量；

2、分辨率高，例如测量压力时可测出10～20Pa的微压；

3、测量元件的有效面积可做得很小，故频率响应高；

4、可测量低频加速度和直线加速度。

传感器是自动检测系统主要的自动化装置，其中还包括显示器、数据处理装置。它是用来感受被测量并且以一定规律转换成可输出信号的器件或装置，还可以将被测参数转换成一定且方便传输的信号，如电信号或气信号。

硅膜片的一面是与被测压力连通的高压腔，另一面是与大气连通的低压腔。硅膜片一般设计成周边固支的圆形，直径与厚度比约为20～60。在圆形硅膜片定域扩散4条P杂质电阻条，并接成全桥，其中两条位于压应力区，另两条处于拉应力区，相对于膜片中心对称。 

此外，也有采用方形硅膜片和硅柱形敏感元件的。硅柱形敏感元件也是在硅柱面某一晶面的一定方向上扩散制作电阻条，两条受拉应力的电阻条与另两条受压应力的电阻条构成全桥。