技术参数
参数
单位
HC-OSW-MOS-1×2
常温指标
全温度范围指标
工作波长
nm
1550
1550
插入损耗(IL)
dB
≤1.0（典型值：0.8）
≤1.3
温度相关损耗(TDL)
dB
≤0.2
0.5
回波损耗(RL)
dB
≥50
40
串扰(CT)
dB
≥40
35
重复性
dB
≤±0.01
≤±0.02
切换速度
μs
≤400
≤400
切换次数
times
≥10 Billion
≥10 Billion
工作电压
V
5
5
承受光功率
mw
≤500
≤500
工作温度
℃
-20~+70
-40--85
储存温度
℃
-40~+85
-40~+85
工作湿度
℃
5~95
5~95
封装尺寸
mm
L37xW10xH7.8
备注:1.指标分为常温指标和全温度范围内指标控制范围
2.所有参数均不包括连接头插入损耗，一对连接头增加0.3dB损耗。