拉单晶专用镓掺杂剂(Ga Dopant)
镓为IIIA族元素,原子量为69.72,英文名称为Gallium,简称Ga。镓质软,淡蓝色光泽。熔点29.78℃。沸点2403℃。具有无毒、不挥发、不燃、不爆炸等特性。是硅半导体掺杂的重要元素。
光衰减率≤2%属于检测范围内,可视为无衰减。正如拉制无位错单晶并非是零位错的,而是位错密度≤3000CM-2的单晶可视为无位错的。
用镓代替硼作为掺杂剂来拉制太阳电池单晶,可以提高电池的转换效率和降低光衰减问题(因为避免了硼氧复合体-严重影响光衰减率的深能级的产生)。
本公司提供进口拉单晶专用镓掺杂剂,包括以下品种:
7N进口拉单晶专用镓掺杂剂
8N进口拉单晶专用镓掺杂剂
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